據(jù)科友半導(dǎo)體官方消息，日前，科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱成功簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方將共同開(kāi)展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。

通過(guò)與俄羅斯N公司的合作，科友半導(dǎo)體計(jì)劃研發(fā)出“無(wú)微管，低位錯(cuò)”完美籽晶。利用這種高品質(zhì)的籽晶進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，有望顯著降低八英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯(cuò)等缺陷密度，進(jìn)而提高晶體生長(zhǎng)的質(zhì)量和生產(chǎn)良率。此外，這一合作還將推動(dòng)碳化硅長(zhǎng)晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級(jí)。

科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司均表示，雙方將長(zhǎng)期友好合作，充分發(fā)揮各自的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，共同推進(jìn)八英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)良率的提升以及晶體缺陷的降低。本次簽約儀式的成功舉行，標(biāo)志著科友半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在合作上邁入了新的階段。

值得一提的是，俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制方面擁有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)，其在相關(guān)領(lǐng)域的高水平文章及期刊發(fā)表已逾百篇。而科友半導(dǎo)體則長(zhǎng)期致力于碳化硅長(zhǎng)晶裝備的研制和工藝技術(shù)研發(fā)，其八英寸電阻爐已在高端制造領(lǐng)域獲得高度認(rèn)可并廣泛使用。在哈爾濱新區(qū)，科友半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了碳化硅材料端從原材料提純到裝備制造、晶體生長(zhǎng)、襯底加工、外延晶圓的全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，目標(biāo)是成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備的主要供應(yīng)商。