第五屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議（APCSCRM 2024）將于2024年11月6日至8日在中國(guó)·深圳坪山格蘭云天國(guó)際酒店隆重舉行。本次會(huì)議以“芯時(shí)代開放創(chuàng)新·芯機(jī)遇合作發(fā)展”為主題，將設(shè)置大會(huì)報(bào)告、專場(chǎng)報(bào)告、口頭報(bào)告、海報(bào)展示、新產(chǎn)品新技術(shù)展覽等多種形式，聚焦寬禁帶半導(dǎo)體（SiC，GaN，Ga2O3，AlN，Diamond）相關(guān)材料、器件、模塊及前沿應(yīng)用跨學(xué)科、多主題，針對(duì)全球行業(yè)發(fā)展焦點(diǎn)、熱點(diǎn)、痛點(diǎn)，匯聚全球知名專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)精英，共同交流寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展的前沿技術(shù)成果和最新市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，暢享全球技術(shù)應(yīng)用新思路、新賽道，交換產(chǎn)業(yè)前瞻新觀察、新觀點(diǎn)。
會(huì)議信息/ APCSCRM 2024 Information
一、會(huì)議名稱/Name：
“芯時(shí)代開放創(chuàng)新·芯機(jī)遇合作發(fā)展”——第五屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議（APCSCRM 2024）
Open·Innovation·Collaborative Development——the 5th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2024)
二、會(huì)議時(shí)間地點(diǎn)/Date&Venue:
2024.11.6—11.8
中國(guó)·深圳，深圳坪山格蘭云天國(guó)際酒店
Grand Skylight International Hotel,
Shenzhen, Guangdong,China
三、會(huì)議網(wǎng)址/Website:
https://apcscrm2024.casconf.cn/
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四、組織機(jī)構(gòu)/Organization:
五、會(huì)議安排/Schedule：
五、報(bào)名參會(huì)/Register：
掃碼立刻報(bào)名
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會(huì)議委員會(huì)/ APCSCRM 2024 Committee
大會(huì)聯(lián)合主席/ General Assembly Co-Chairs
陳小龍/Xiaolong CHEN
中國(guó)科學(xué)院物理研究所/研究員；
北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司/首席科學(xué)家；
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟/理事長(zhǎng)
Institute of Physics,CAS， Researcher；
Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist；
Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President
Kevin J . CHEN
香港科技大學(xué)，首席教授，中國(guó)香港
The Hong Kong University of
Science and Technology ，Chair Professor, Hong Kong, China
Daniela Gogova
林雪平大學(xué)，首席研究員，保加利亞
Link?ping University，Principal Research Engineer， Bulgaria
顧問委員會(huì)/ Advisory committee
Hiroshi Kanazawa、Noriyuki IWAMURO、Won-Jae LEE、Guo-quan LU、Josef LUTZ、Gourab MAJUMDAR、Tadatomo SUGA、Katsuaki SUGANUMA、Toru UJIHARA、郝躍、江風(fēng)益、李樹深、劉明、劉勝、劉益春、羅毅、彭練矛、田永君、屠海令、王占國(guó)、楊德仁、葉志鎮(zhèn)、俞大鵬、張躍、鄭婉華、鄭有炓、祝寧華、祝世寧、鄒廣田
組織委員會(huì)/ Organizing committee
Andy、Manabu ARAI、Tony Chau、Hsien-Chin CHIU、Poshun CHIU、Andy Chuang、Yasuto HIJIKATA、Lee Kung-Ye、Chi Chung Ling 、Teng LONG、Li LongZheng、Hideharu MATSUURA、Tokuyasu MIZUHARA、Chulmin OH、Noboru OHTANI、Norbert Pluschke、Man Hoi Wong 、Liang Wu、Hidekazu YOKOO、敖金平、柏松、陳弘達(dá)、叢茂杰、董博宇、郭麗偉、郝建民、賈志泰、金鵬、于彤軍、馬雷、李晉閩、李忠輝、李泠、林健、劉冰冰、劉國(guó)友、劉建利、劉鋒、龍世兵、陸海、馬琰銘、馬曉華、潘林、皮孝東、秦明禮、沈波、唐為華、陶緒堂、萬(wàn)玉喜、王宏興、王燕、溫旭輝、徐科、楊媛、楊小天、楊霏、于洪宇、張?jiān)礉?、張清純、鄭雪峰、仲正、朱嘉?/p>
程序委員會(huì)/ Procedure committee
主席：彭同華 (天科合達(dá) 董事/常務(wù)副總經(jīng)理)
副主席：劉祎晨、曾江、王文軍、許恒宇
委員：陳炳安、陳蛟、陳天宇、鄧小川、馮淦、高冰、關(guān)赫、郭輝、郭建剛、郭清、郭鈺、韓景瑞、和巍巍、侯喜鋒、黃志偉、霍永雋、吉麗霞、賈強(qiáng)、賈仁需、金銳、金士鋒、孔令沂、雷光寅、李輝、李赟、梁琳、劉春俊、劉南柳、婁艷芳、梅云輝、倪煒江、寧圃奇、鈕應(yīng)喜、潘建宇、潘堯波、任澤陽(yáng)、史慧玲、宋波、宋華平、湯益丹、王晨曦、王東萃、王剛、王蓉、王偉達(dá)、王英民、魏進(jìn)、徐永寬、許照原、閆方亮、楊恒、楊樹、應(yīng)天平、袁俊、曾正、張峰、張國(guó)強(qiáng)、張瑾、張楠、張星、張旭芳、張澤盛、張紫輝、趙鵬、鄭紅軍、鄭偉、鄭澤東、鐘蓉
*（以上排名均按姓氏首字母排序）
（Alphabetically by surname）
部分參會(huì)嘉賓/ Part of Guests
郝 躍 / Yue HAO
中國(guó)科學(xué)院院士，西安電子科技大學(xué)，教授
Academician of Chinese Academy of Sciences；
Xidian University，professor，China
劉 勝 / Sheng Liu
中國(guó)科學(xué)院院士，武漢大學(xué)，教授
Academician of Chinese Academy of Sciences;
Wuhan university，professor， China
陳小龍 /Xiaolong CHEN
中國(guó)科學(xué)院物理研究所，研究員；
北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司，首席科學(xué)家；
寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟，理事長(zhǎng)
Institute of Physics,CAS， Researcher；
Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist；
Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President
Kevin J . CHEN
香港科技大學(xué)，首席教授，中國(guó)香港
The Hong Kong University of Science and Technology ，Chair Professor, Hong Kong, China
報(bào)告題目：異質(zhì)寬禁帶半導(dǎo)體功率電子技術(shù)
Topic：Heterogenous Wide-Bandgap Semiconductor Power Electronics
Hsien-Chin CHIU
長(zhǎng)庚大學(xué)，教授，中國(guó)臺(tái)灣
Chang Gung University，Professor，Taiwan， China
報(bào)告題目：高效 PSU 和射頻放大器應(yīng)用對(duì)硅基氮化鎵電子器件的性能需求
Topic：The Performance Demands to GaN on Si Electronics devices for High Efficiency PSU and RF Amplifiers Applications
Daniela Gogova
林雪平大學(xué)，首席研究員，保加利亞
Link?ping University，Principal Research Engineer， Bulgaria
報(bào)告題目：開發(fā)新一代大功率 Ga2O3材料
Topic：Developing next generation high-power Ga2O3 material
Vinod Nair
Halo Industries,Inc.，銷售總監(jiān)，美國(guó)
Halo Industries,Inc.，Head Sales and Marketing，America
YI HE
3M，電子與材料部全球?qū)嶒?yàn)室主任，美國(guó)
3M Electronics & Materials Solutions Division Global Laboratory Director,America
報(bào)告題目：3M 解決方案如何提高 SiC 工藝的產(chǎn)量、穩(wěn)定性和成本擁有率
Topic：How 3M solution improve yield, stability and cost ownership for SiC process
Yasuto HIJIKATA
琦玉大學(xué) ，教授，日本
Saitama University，Professor，Japan
報(bào)告題目：一種嵌入MOS接口色心的SiC單光子發(fā)射器件
Topic：A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color Centers
Noriyuki IWAMURO
筑波大學(xué) ，教授，日本
University of Tsukuba，Professor，Japan
報(bào)告題目：SiC MOSFETs 研究進(jìn)展
Topic：Recent Progress of SiC MOSFETs
Hiroshi Kanazawa
Resonac Corporation，SiC研發(fā)部總監(jiān)，日本
Resonac Corporation，Head of SiC Research and Development Department，Japan
報(bào)告題目：Resonac SiC外延片研發(fā)綜述
Topic：Review for Resonac’s SiC Epiwafer Development
JIANBO LIANG
大阪公立大學(xué)，教授，中國(guó)
Osaka Metropolitan University，Professor，China
報(bào)告題目：3C-SiC與多晶金剛石的直接鍵合技術(shù)在高功率GaN器件中的應(yīng)用
Topic：Direct bonding of 3C-SiC and polycrystalline diamond for high-power GaN device applications
Francis Chi-Chung LING
香港大學(xué)，副教授，中國(guó)香港
THE UNIVERSITY OF HONG KONG，Associate Professor，Hongkong，China
報(bào)告題目：SiC 器件的缺陷工程
Topic：Defect engineering of SiC devices
Josef LUTZ
開姆尼茲工業(yè)大學(xué)，教授，德國(guó)
Chemnitz University of Technology，Professor，Germany
報(bào)告題目：SiC MOSFET 體二極管的開關(guān)行為和堅(jiān)固性
Topic：The SiC MOSFET body diode switching behavior and ruggedness
Gourab MAJUMDAR
三菱電機(jī)，日本
Mitsubishi Electric Corporation，Japan
Vinod Nair
Halo Industries,Inc.，銷售總監(jiān)，美國(guó)
Halo Industries,Inc.，Head Sales and Marketing，Ame
參考資料：
深圳國(guó)際半導(dǎo)體展暨集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新展
SEMI-e
舉辦地區(qū)：廣東
開閉館時(shí)間：09:00-17:00
舉辦地址：深圳市寶安區(qū)福海街道和平社區(qū)展城路1號(hào)
展覽面積：60000㎡
觀眾數(shù)量：50000
舉辦周期：1年1屆
主辦單位：中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)（CIOE中國(guó)光博會(huì)）、集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟
