擁有半導(dǎo)體前段技術(shù)創(chuàng)新與完整產(chǎn)品布局的盛美半導(dǎo)體，除了為先進(jìn)晶圓封裝應(yīng)用提供完備解決方案外，還全力深耕扇出型面板級(jí)封裝市場(chǎng)。如今更秉持“技術(shù)差異化”“產(chǎn)品平臺(tái)化”和“客戶(hù)全球化”的戰(zhàn)略方向，成功布局從清洗設(shè)備到面板級(jí)封裝設(shè)備等七大板塊產(chǎn)品，為多個(gè)半導(dǎo)體關(guān)鍵制程步驟貢獻(xiàn)力量。

盛美半導(dǎo)體于1998年在美國(guó)硅谷成立，并于2017年正式在美國(guó)納斯達(dá)克（NASDAQ：ACMR）掛牌上市。盛美半導(dǎo)體通過(guò)各類(lèi)自主專(zhuān)利技術(shù)的研發(fā)，展現(xiàn)“技術(shù)差異化”的強(qiáng)勁實(shí)力，并在“產(chǎn)品平臺(tái)化”戰(zhàn)略思維的引領(lǐng)下，成功將旗下創(chuàng)新產(chǎn)品拓展至清洗設(shè)備、電鍍?cè)O(shè)備、先進(jìn)封裝濕法刻蝕設(shè)備、立式爐管設(shè)備、前段涂膠顯影 Track 設(shè)備、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 PECVD 設(shè)備以及面板級(jí)封裝設(shè)備等七大板塊市場(chǎng)。根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，盛美半導(dǎo)體的清洗設(shè)備2024年在全球市場(chǎng)的占比達(dá)8%，排名第四；其電鍍?cè)O(shè)備全球市占率8.2%，全球排名第三。

三大差異化創(chuàng)新點(diǎn)產(chǎn)品領(lǐng)軍，強(qiáng)力布局 FOPLP 市場(chǎng)

在全球生成式AI與AI芯片熱潮的帶動(dòng)下，先進(jìn)封裝成為今后半導(dǎo)體最炙手可熱的發(fā)展主流，作為先進(jìn)封裝重要分支的扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）被視為接棒CoWoS的明日之星。盛美半導(dǎo)體CEO王暉博士表示：“AI技術(shù)對(duì)芯片的要求越來(lái)越高，現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝備技術(shù)還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足這個(gè)需求。這給半導(dǎo)體設(shè)備及材料行業(yè)提出了新的挑戰(zhàn)，同時(shí)也帶來(lái)了巨大的發(fā)展機(jī)會(huì)?！?/p>

為了緊抓這樣的趨勢(shì)，盛美半導(dǎo)體在去年 SEMICON TAIWAN 2024 會(huì)場(chǎng)中便首次展示 Ultra C vac-p 面板級(jí)負(fù)壓清洗設(shè)備與 Ultra ECP ap-p 面板級(jí)電鍍?cè)O(shè)備，同時(shí)首次公開(kāi)發(fā)布 Ultra C bev-p 面板級(jí)邊緣蝕刻設(shè)備。這三款設(shè)備作為積極進(jìn)軍扇出型面板級(jí)封裝市場(chǎng)的三大差異化創(chuàng)新點(diǎn)產(chǎn)品，更是瞄準(zhǔn)七大板塊市場(chǎng)中三大關(guān)鍵領(lǐng)域的代表作。

盛美 Ultra C vac-p 面板級(jí)負(fù)壓清洗設(shè)備可處理 510 x 515mm 和 600 x 600mm 尺寸的面板以及高達(dá) 10mm 的面板翹曲。通過(guò)負(fù)壓技術(shù)去除芯片結(jié)構(gòu)中的助焊劑殘留物，可使清洗液到達(dá)狹窄的縫隙，不論小凸塊間距（小于 40 微米）或大尺寸芯片皆能展現(xiàn)一流的清洗效率，該設(shè)備已經(jīng)在用戶(hù)端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

▲ 盛美 Ultra C vac-p 面板級(jí)先進(jìn)封裝負(fù)壓清洗設(shè)備（Source:盛美半導(dǎo)體）

針對(duì)面板級(jí)電鍍需求，盛美 Ultra ECP ap-p 設(shè)備相容有機(jī)基板和玻璃基板，適用形成重新布線(xiàn)層（RDL）的銅電鍍、凸塊電鍍、大銅柱電鍍，以及銅柱/鎳/錫銀合金凸塊電鍍。通過(guò)自主研發(fā)的全球獨(dú)家水平式多陽(yáng)極電鍍技術(shù)，該設(shè)備因具有良好的均勻性（面內(nèi)均勻性可以達(dá)到 5% 以?xún)?nèi)）和精度，有效減少電鍍液之間的交叉污染，成為兼顧面板封裝品質(zhì)、效率與成本的最佳選擇，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí) CoWoS 工藝朝著面板式 CoPoS 的無(wú)縫轉(zhuǎn)移。盛美 Ultra ECP ap-p 設(shè)備深獲業(yè)界肯定，并于今年拿下美國(guó) 3D InCites 協(xié)會(huì)頒發(fā)的“Technology Enablement Award”大獎(jiǎng)。

▲ 盛美 Ultra ECP ap-p 面板級(jí)先進(jìn)封裝電鍍?cè)O(shè)備（Source:盛美半導(dǎo)體）

至于專(zhuān)為銅相關(guān)制程的邊緣刻蝕和清洗需求設(shè)計(jì)的盛美 Ultra C bev-p 面板級(jí)邊緣刻蝕設(shè)備，其最大特點(diǎn)莫過(guò)于能同時(shí)對(duì)長(zhǎng)方形面板的正面與背面進(jìn)行精準(zhǔn)的邊緣刻蝕，進(jìn)而提升產(chǎn)品良率與可靠性。此外，該設(shè)備還能為翹曲 10mm 的面板進(jìn)行邊緣刻蝕。由于該產(chǎn)品采用了專(zhuān)為邊緣刻蝕和銅、鈦殘留清除而設(shè)計(jì)的濕法刻蝕制程，因此能有效避免電氣短路，降低污染風(fēng)險(xiǎn)，在保持后續(xù)制程步驟完整性的同時(shí)，更確保了元件的耐用度，堪稱(chēng)是應(yīng)對(duì)方形面板基板之獨(dú)特挑戰(zhàn)的一大利器。

▲ 盛美 Ultra C bev-p 面板級(jí)先進(jìn)封裝邊緣濕法刻蝕設(shè)備（Source:盛美半導(dǎo)體）

打造 SAPS、TEBO、Tahoe 鐵三角，無(wú)與倫比完整清洗產(chǎn)品線(xiàn)出擊

隨著 IC 微型化成為趨勢(shì)，這股潮流也吹向了半導(dǎo)體清洗與電鍍領(lǐng)域。為了順應(yīng)這股強(qiáng)勁的趨勢(shì)洪潮，盛美半導(dǎo)體持續(xù)通過(guò)自主獨(dú)特的先進(jìn)清洗與電鍍技術(shù)與創(chuàng)新產(chǎn)品，協(xié)助客戶(hù)提升產(chǎn)線(xiàn)效能。

在強(qiáng)大創(chuàng)新與平臺(tái)化策略的驅(qū)動(dòng)下，盛美展現(xiàn)了半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域最完備的產(chǎn)品線(xiàn)布局以及最優(yōu)化的解決方案，這一切均立足于盛美全球首創(chuàng)的空間交變相位移（SAPS）及時(shí)序能激氣穴震蕩（TEBO）兩項(xiàng)兆聲波清洗技術(shù)，換言之，該公司之后以這兩項(xiàng)技術(shù)為基礎(chǔ)，陸續(xù)開(kāi)發(fā)出各類(lèi)系列的清洗設(shè)備。

2008 年，盛美半導(dǎo)體推出全球首創(chuàng)的高端單晶圓 SAPS 兆聲波清洗設(shè)備，其在單片清洗制程的良率上，比市面上非兆聲波清洗設(shè)備高出約 1%，再次顯示該創(chuàng)新設(shè)備的清洗效率優(yōu)于傳統(tǒng)超聲波清洗制程，該技術(shù)自 2011 年起便獲得全球大型 IC 制造客戶(hù) SK Hynix 采用，從 35nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)開(kāi)始一直延續(xù)到先進(jìn)的 10nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

至于2016年推出的全球首創(chuàng)TEBO兆聲波清洗設(shè)備，適用于清洗3D IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)線(xiàn)路的化學(xué)藥劑與微小顆粒。盛美半導(dǎo)體并將該設(shè)備與今年SEMICON CHINA 2025上展出的超臨界二氧化碳干燥設(shè)備，搭配組合成3D微結(jié)構(gòu)清洗最佳方案。

最令業(yè)界矚目的還有Tahoe單晶片槽式復(fù)合清洗設(shè)備，它具備整合槽式批次清洗與單晶片清洗的優(yōu)勢(shì)與高效，有效節(jié)省高達(dá)75%以上的硫酸用量。

盛美近期宣布（2025/7/31）對(duì)自家Ultra C wb濕法清洗設(shè)備進(jìn)行重大升級(jí)。這是因?yàn)閭鹘y(tǒng)濕法清洗制程常具備高深寬比溝槽和通孔結(jié)構(gòu)，易使得濕法刻蝕會(huì)出現(xiàn)均勻性差和副產(chǎn)物二次沉積等問(wèn)題。為了有效解決這個(gè)頑疾，盛美通過(guò)升級(jí)，使Ultra C wb設(shè)備全面支持氮?dú)猓∟?）鼓泡技術(shù)。該專(zhuān)利申請(qǐng)保護(hù)的N?鼓泡技術(shù)可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)超大氣泡尺寸及空間分布密度的均勻性，可以預(yù)見(jiàn)的是，這項(xiàng)能提升化學(xué)藥液傳輸效率，提高濕法刻蝕槽內(nèi)溫度、濃度和流速均勻性的新技術(shù)，尤其在500層以上的3D NAND、3D DRAM以及3D邏輯元件中有巨大的應(yīng)用前景。

目前盛美多樣的清洗技術(shù)已覆蓋95%以上的半導(dǎo)體清洗制程環(huán)節(jié)，進(jìn)而為邏輯、存儲(chǔ)器、功率元件等多種半導(dǎo)體制程提供最優(yōu)化清洗方案。該公司并通過(guò)SAPS、TEBO、Tahoe三大差異化核心技術(shù)，為最完整清洗產(chǎn)品線(xiàn)構(gòu)筑難以超越的技術(shù)壁壘與領(lǐng)先地位。

多元技術(shù)與產(chǎn)品的加乘，攜客戶(hù)高歌猛進(jìn)半導(dǎo)體市場(chǎng)

盛美半導(dǎo)體成立以來(lái)致力于銅互連技術(shù)的研發(fā)，是全球少數(shù)較早掌握水平式電鍍核心技術(shù)專(zhuān)利并實(shí)現(xiàn)實(shí)際量產(chǎn)的廠商之一。盛美 ECP map 電鍍?cè)O(shè)備是中國(guó)首臺(tái)前段制程高端銅鑲嵌互連電鍍?cè)O(shè)備，也是該公司七大板塊設(shè)備中的核心產(chǎn)品，且在前段雙鑲嵌制程、先進(jìn)封裝、3D TSV（硅通孔）以及第三代半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域均取得顯著突破。

此外，盛美半導(dǎo)體也在其七大目標(biāo)板塊之一的熱制程設(shè)備、PECVD 設(shè)備及顯影設(shè)備等領(lǐng)域積極布局。首先在熱制程設(shè)備領(lǐng)域，盛美分別于 2022 年與 2024 年推出熱原子層沉積和等離子體增強(qiáng)原子層沉積兩種配置的 Ultra Fn A ALD 立式爐設(shè)備，兩者均獲得中國(guó)半導(dǎo)體客戶(hù)的青睞。此外，能大幅改善滑移缺陷、提升制程效率的超高溫氧化推阱爐管（1250°C），以及應(yīng)用專(zhuān)利申請(qǐng)保護(hù)技術(shù)改善漏電率的高介電常數(shù)原子層沉積爐管，目前已處于實(shí)驗(yàn)室測(cè)試驗(yàn)證階段，即將推向市場(chǎng)。

而對(duì)于廣泛應(yīng)用于成熟薄膜沉積制程的 Ultra Pmax PECVD 設(shè)備，其配備了擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的腔體、氣體分配裝置和晶圓承載座設(shè)計(jì)，能提供更優(yōu)的薄膜均勻性、更小的薄膜應(yīng)力，以及更出色的顆?？刂婆c改善能力。

盛美半導(dǎo)體的 PECVD 設(shè)備制程腔體，在吸取當(dāng)前主流各大供應(yīng)商優(yōu)缺點(diǎn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行了綜合配置（一個(gè)腔體含 3 個(gè) Chuck），具備更強(qiáng)的可調(diào)整性，同時(shí)擁有獨(dú)立的 IP 保護(hù)。特別是在射頻的配合與設(shè)計(jì)中，融入了獨(dú)特的獨(dú)立控制系統(tǒng)并結(jié)合相互聯(lián)通的方式，已申請(qǐng)核心專(zhuān)利，實(shí)現(xiàn)了多晶圓沉積的穩(wěn)定性與均勻性。截至目前，TEOS 薄膜及 SiN 薄膜已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證，在薄膜的厚度穩(wěn)定性、均勻性及顆?？刂品矫婢_(dá)到客戶(hù)的 Spec 要求。隨著多制程的拓展，盛美的 PECVD 設(shè)備將實(shí)現(xiàn)“單一客戶(hù)突破、多制程落地”的良好開(kāi)局。

在顯影設(shè)備領(lǐng)域，盛美推出專(zhuān)門(mén)應(yīng)用于300mm晶圓制程的前段涂膠顯影Track設(shè)備，堪稱(chēng)協(xié)助客戶(hù)降低缺陷率、提高產(chǎn)能、節(jié)約總體持有成本（COO）的最佳解決方案。該設(shè)備支持300WPH（每小時(shí)300片晶圓）的氟化氪（KrF）深紫外光光刻制程，設(shè)備采用自主研發(fā)的垂直交叉架構(gòu)，更易于擴(kuò)展到更高產(chǎn)能400WPH。公司自主開(kāi)發(fā)的多分區(qū)高精度熱板，具有卓越的溫度均一性。該設(shè)備技術(shù)先進(jìn)，能夠降低產(chǎn)品缺陷率、提高產(chǎn)能、節(jié)約用戶(hù)使用成本，支持主流曝光機(jī)接口，適用于i-line、KrF、ArF和ArFi等各類(lèi)光刻制程。

在“技術(shù)差異化”“產(chǎn)品平臺(tái)化”和“客戶(hù)全球化”戰(zhàn)略的貫徹下，2024年，盛美半導(dǎo)體的整體營(yíng)業(yè)收入達(dá)到7.82億美元，其中尤以單晶圓、Tahoe與半關(guān)鍵清洗設(shè)備的營(yíng)收最高，達(dá)到5.79億美元，占整體營(yíng)收的74%；其次是營(yíng)收達(dá)1.51億美元的ECP（前段封裝）、爐管及其他科技業(yè)務(wù)，占比為19.3%；至于非ECP先進(jìn)封裝、服務(wù)與配件的營(yíng)收為0.52億美元，占比6.7%^[1]。

為應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體IC、先進(jìn)封裝與晶圓制造需求，盛美半導(dǎo)體已具備覆蓋從前段制造到先進(jìn)封裝的七大板塊多元技術(shù)與產(chǎn)品布局，攜手半導(dǎo)體客戶(hù)共同強(qiáng)化優(yōu)勢(shì)，迎接挑戰(zhàn)并把握商機(jī)。

參考資料：

中國(guó)無(wú)錫半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)

CSEAC

舉辦地區(qū)：江蘇

開(kāi)閉館時(shí)間：09:00-18:00

舉辦地址：無(wú)錫市太湖新城清舒道88號(hào)

展覽面積：48000㎡

觀眾數(shù)量：58000

舉辦周期：1年1屆

主辦單位：中國(guó)電子專(zhuān)用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)